Сильно легированные полупроводники

Монография посвящена фундаментальным аспектам физики сильно легированных полупроводников — материалов, играющих ключевую роль в современной полупроводниковой электронике. В книге рассмотрены: различия между слабо-, средне- и сильно легированными полупроводниками (с точки зрения электронного и атомного аспектов); влияние концентрации примесей на электрические свойства полупроводников; формирование примесных зон и их взаимодействие с зонами проводимости и валентными зонами; статистика распределения носителей заряда (от статистики Больцмана к статистике Ферми — Дирака); прикладные аспекты: использование сильно легированных полупроводников в лазерах, термоэлектрических устройствах, полупроводниковых катализаторах и активных элементах твёрдых схем. Книга написана ведущим советским специалистом в области физики полупроводников — Виктором Ильичом Фистулем. Работа основана на его многолетних исследованиях явления политропии примеси, кинетики распада полупроводниковых твёрдых растворов и особенностей состояния примесей переходных металлов. Монография стала одним из первых систематических трудов, посвящённых физике сильно легированных полупроводников, и отразила актуальные на 1960-е годы научные достижения в этой области. В. И. Фистуль (Виктор Ильич Фистуль) — доктор физико-математических наук (1967), профессор, дважды лауреат Государственной премии СССР (1975, 1987), заслуженный деятель науки и техники РСФСР. Известен своими открытиями в области политропии примеси, кинетики распада полупроводниковых твёрдых растворов и теории поведения амфотерных примесей