МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов

Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем (ИС) и исследованию электрических характеристик их основных элементов — МОП-транзисторов.

В издании рассмотрены:

• модели диффузии, ионной имплантации, окисления, отжига, литографии, осаждения и травления;
• модели, описывающие функционирование МОП-транзисторов;
• алгоритмы моделирования технологических процессов и приборов на основе МОП-структур (включая одно- и двумерное математическое моделирование);
• методы стыковки программ моделирования технологических процессов с программами расчёта характеристик приборов;
• анализ двумерных эффектов, важных при уменьшении размеров элементов ИС.

Книга содержит 32 таблицы, 299 иллюстраций и список литературы из 737 источников. Предназначена для специалистов в области математического моделирования в микроэлектронике, разработчиков кремниевых ИС, технологов, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Издание является переводом работы, первоначально опубликованной в 1983 году издательством Martinus Nijhoff Publishers (Гаага, Нидерланды). Для советского издания (1988 г.) текст был адаптирован, дополнен примечаниями переводчиков и редактора.

Цель публикации в СССР — предоставить отечественным специалистам доступ к передовым зарубежным разработкам в области моделирования микроэлектронных процессов. В период активного развития микроэлектроники такие знания были критически важны для совершенствования технологий производства ИС, сокращения времени разработки новых устройств и повышения их надёжности.

• Авторы (редакторы сборника): П. Антонетти, Д. Антониадис, Р. Даттон, У. Оулдхем — ведущие зарубежные специалисты в области моделирования технологических процессов микроэлектроники.
• Переводчики: В. Л. Кустов, В. М. Петров, О. В. Селляхова.
• Редактор перевода: Р. А. Сурис.
• Издательство: «Радио и связь» (Москва, СССР).
• Год издания: 1988.
• ISBN: 5-256-00130-2.
• Объём: 496 страниц.
• Формат: твёрдый переплёт, офсетная бумага.
• Оригинальное название (на английском): «Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits»